金硅面壘型半導(dǎo)體探測(cè)器

簡(jiǎn)要描述：我公司生產(chǎn)部分耗盡型金硅面壘半導(dǎo)體探測(cè)器，A 系列具有高能量分辨率、窗薄等特點(diǎn)，適用于對(duì)能譜要求高的場(chǎng)合，如氡釷分析儀等，B 系列在 A 系列的窗前鍍上一個(gè)保護(hù)層，克服了易損壞、窗不能擦試等缺點(diǎn)適用于對(duì)能量分辨率要求不高，作為放射性強(qiáng)度測(cè)量的探測(cè)器。

產(chǎn)品型號(hào)：
廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間：2025-12-12
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詳情介紹

品牌	其他品牌	產(chǎn)地	國(guó)產(chǎn)
加工定制	否

金硅面壘型半導(dǎo)體探測(cè)器

概述

我公司生產(chǎn)部分耗盡型金硅面壘半導(dǎo)體探測(cè)器，A 系列具有高能量分辨率、窗薄等特點(diǎn)，適用于對(duì)能譜要求高的場(chǎng)合，如氡釷分析儀等，B 系列在 A 系列的窗前鍍上一個(gè)保護(hù)層，克服了易損壞、窗不能擦試等缺點(diǎn)適用于對(duì)能量分辨率要求不高，作為放射性強(qiáng)度測(cè)量的探測(cè)器。

技術(shù)規(guī)格

型號(hào)	工作電壓	耗盡區(qū)厚度 μm	對(duì)比ORTEC U-016-300-100 型探測(cè)器（Am-241 面源）真空下測(cè)量能量分辯率 1.2?	對(duì)比ORTEC U-016-300-100 型探測(cè)器（Am-241 面源）真空下測(cè)量峰道址202
A-AS20	5~300VDC	大于 1000	0.7~1.4?	204~206
A-AS26	5~300VDC	大于 1000	0.7~1.4?	204~206
B-AS20	5~300VDC	大于 1000	4.0~4.9?	189-191
B-AS26	5~300VDC	大于 1000	4.2~4.9?	189-191